Datasheet下载- 型号： SPB80N10L G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB80N10L G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB80N10L G价格参考。InfineonSPB80N10L G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB80N10L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB80N10L G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 SPB80N10L G 的晶体管属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管类型。该器件具有良好的导通特性和快速开关性能，适用于多种功率电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，提供高效能的电能转换。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）和工业电机控制，实现对电机的高效驱动和调速。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统和便携式设备中，实现对电池充放电的高效控制。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为核心开关元件实现直流到交流的转换。 5. 汽车电子：用于车载充电系统、车载电机控制及车身控制模块，满足汽车应用对可靠性和效率的要求。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合中高功率应用，广泛应用于工业控制、消费电子和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPB80N10L.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c1a874670 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB80N10L G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 58A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SPB80N10LGINDKR |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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