Datasheet下载- 型号： SIHU3N50D-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHU3N50D-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHU3N50D-GE3价格参考。VishaySIHU3N50D-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHU3N50D-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHU3N50D-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHU3N50D-GE3 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子系统中。该器件具有500V的漏源电压（VDS）和3A的连续漏极电流能力，适用于高电压和中等功率的应用场景。 该MOSFET常用于电源转换系统，如AC/DC电源适配器、开关电源（SMPS）、DC/DC转换器和电池充电器。其高耐压特性使其适合用于离线式电源设计，尤其在反激式或正激式转换器中作为主开关使用。此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，提供高效稳定的电流控制。 SIHU3N50D-GE3还可用于工业控制设备、电机驱动、电能管理系统以及家电中的功率控制模块。其高效率和良好的热稳定性有助于提高系统能效，降低功耗，满足节能标准。同时，该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在较为严苛的环境中使用。 总之，SIHU3N50D-GE3适用于需要高电压耐受能力、中等电流处理能力及高可靠性的各种电源管理和功率控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAKMOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHU3N50D-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SiHU3N50D-GE3SIHU3N50D-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251 |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIHU3N50D-E3 |
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