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- 型号： PSMN7R6-100BSEJ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PSMN7R6-100BSEJ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R6-100BSEJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R6-100BSEJ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R6-100BSEJ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tj） 296W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN7R6-100BSEJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R6-100BSEJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R6-100BSEJ 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该 MOSFET 适用于各种开关模式电源设计，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度调节。 3. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中用作高效的负载开关，实现对不同负载的快速切换和保护。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池保护电路中，用于过流保护、短路保护以及充放电控制，确保电池的安全运行。 5. 逆变器和转换器：应用于小型逆变器或 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换能力。 6. LED 驱动：用于高亮度 LED 的驱动电路中，通过 PWM 控制实现亮度调节和稳定输出。 7. 汽车电子：由于其良好的电气特性和可靠性，可应用于汽车电子系统中的各种开关和控制功能，例如车窗升降、座椅调节等。 8. 工业控制：在工业自动化领域中，用作信号放大或功率开关，控制继电器、电磁阀等设备的通断。 PSMN7R6-100BSEJ 的典型特点包括低导通电阻（通常小于 7.6mΩ）、高电流承载能力（最大可达 90A）以及出色的热性能，这些特性使其非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。同时，其 SO-8 封装形式便于 PCB 布局和散热设计，进一步扩展了其适用范围。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN7R6-100BSEJ |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7110pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 128nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-10259-6 |
| 功率-最大值 | 296W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tj） |
