Datasheet下载- 型号： RSD080P05TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSD080P05TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSD080P05TL价格参考。ROHM SemiconductorRSD080P05TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSD080P05TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSD080P05TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSD080P05TL是一款P沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理与功率控制场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的负载开关和电源切换，用于防止反向电流和实现节能待机；电池供电系统中的保护电路，如过流与短路保护；DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关元件，提升转换效率；以及电机驱动、LED驱动模块和小型家电中的功率控制部分。 RSD080P05TL采用小型封装（如SOP-8），适合空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的抗噪声能力和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子外围电路中。由于其P沟道特性，无需额外驱动电路即可实现简洁高效的开关控制，降低了整体系统成本与复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 8A CPT3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSD080P05TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 91 毫欧 @ 8A， 10V |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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