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产品简介:
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DMN3150LW-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景广泛,适用于多种电子设备和电路设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: DMN3150LW-7 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和负载开关中,作为高效的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电池管理: 在电池充电和保护电路中,该 MOSFET 可用作电池充放电路径的控制开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。 3. 电机驱动: 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,用于控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 信号切换: 在需要高速信号切换的应用中,如音频信号切换或数据线路切换,DMN3150LW-7 的快速开关特性和低电容性能表现出色。 5. 便携式设备: 由于其小型化封装(如 SOT-23 或更小),该 MOSFET 广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的便携式电子产品中。 6. 热插拔保护: 在服务器、网络设备和其他需要热插拔功能的场景中,DMN3150LW-7 可用于限制浪涌电流,保护电路免受损坏。 7. LED 驱动: 用于 LED 照明电路中,作为电流调节或调光功能的开关元件,提供稳定的亮度控制。 8. 通信设备: 在路由器、交换机等通信设备中,该 MOSFET 可用于电源分配和信号隔离。 总之,DMN3150LW-7 凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装等特点,成为消费电子、工业控制和通信领域中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3MOSFET 0.35W 28V 1.6A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3150LW-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN3150LW-7 |
Pd-PowerDissipation | 350 mW |
Pd-功率耗散 | 350 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 88 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 28 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 28 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 305pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 88 毫欧 @ 1.6A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | DMN3150LWDIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 28V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Ta) |
系列 | DMN3150L |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |