Datasheet下载- 型号： NTMS7N03R2G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS7N03R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS7N03R2G价格参考。ON SemiconductorNTMS7N03R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS7N03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS7N03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的NTMS7N03R2G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： NTMS7N03R2G的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电源管理电路中，例如DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、电池充电器等。它可以有效降低功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动： 在小型电机控制应用中，这款MOSFET可以作为开关元件使用，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低功耗特性使其适用于消费电子设备中的风扇、泵或其他小型电机驱动。 3. 负载开关： 该器件常用于负载开关应用中，以实现对不同负载的精确控制。例如，在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，它可用于管理电源分配，确保系统在待机或关机状态下减少漏电流。 4. 保护电路： NTMS7N03R2G可应用于过流保护、短路保护和反向电池保护电路中。通过快速响应和低导通损耗，它能够有效地保护敏感电子设备免受异常电流或电压的影响。 5. 信号切换： 在通信和音频设备中，这款MOSFET可以用作信号切换元件，实现多路信号的选择与切换，同时保持较低的信号失真。 6. 汽车电子： 虽然具体耐温范围需参考数据手册，但类似规格的MOSFET通常适用于汽车电子中的简单开关功能，如LED照明控制、传感器接口等。 总之，NTMS7N03R2G凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别是在需要高效开关和低功耗的场合表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOICMOSFET 30V 7A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMS7N03R2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMS7N03R2G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 38 ns, 71 ns |
| 下降时间 | 49 ns, 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS7N03R2GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns, 27 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Ta） |
| 系列 | NTMS7N03R2 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
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