【未分类_IRF7842PBF】封装/厂家_IRF7842PBF中文资料_价格

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型号： IRF7842PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7842PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7842PBF价格参考。International RectifierIRF7842PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF7842PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7842PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7842PBF是一种N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：IRF7842PBF常用于开关电源的功率级电路中，作为高频开关元件，控制电流的通断和调节输出电压。

2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该MOSFET可以用作开关器件，实现对电机速度和方向的控制。

3. 负载切换：在需要快速切换高电流负载的应用中，如汽车电子设备或工业控制系统，IRF7842PBF能够提供高效的负载切换功能。

4. 电池管理系统（BMS）：用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响，通过精确控制充电和放电路径来确保电池安全。

5. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，该MOSFET可以用来将直流电转换为交流电，适用于家用电器或工业设备供电。

6. LED驱动：在高亮度LED照明应用中，IRF7842PBF可用于调节电流以保证LED亮度稳定，并延长其使用寿命。

7. 音频放大器：某些高性能音频放大器使用此类MOSFET作为输出级器件，以提高效率和减少失真。

8. 电信设备：在基站和其他通信基础设施中，该MOSFET可用于信号处理和功率管理模块。

总之，IRF7842PBF凭借其低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，在众多电力电子应用领域表现出色。选择合适的外围电路设计可以充分发挥其优势，满足不同场景下的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOICMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	18 A
Id-连续漏极电流	18 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7842PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7842PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	33 nC
Qg-栅极电荷	33 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	12 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.25V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4500pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5 毫欧 @ 17A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
典型关闭延迟时间	21 ns
功率-最大值	2.5W
功率耗散	2.5 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	5.9 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	95
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	33 nC
标准包装	95
汲极/源极击穿电压	40 V
漏极连续电流	18 A
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	18A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
闸/源击穿电压	20 V