Datasheet下载- 型号： SI1427EDH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1427EDH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1427EDH-T1-GE3价格参考。VishaySI1427EDH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1427EDH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1427EDH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1427EDH-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其典型应用场景包括： 1. 电源管理： - 该器件适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及负载开关等电路中。低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，提高效率。 - 可用于电池管理系统 (BMS)，为便携式设备提供高效的电源切换。 2. 电机驱动： - 在小型直流电机或步进电机驱动中，SI1427EDH-T1-GE3 可作为功率开关，控制电机的启动、停止和调速。 - 其快速开关能力能够支持高频 PWM 控制，降低电磁干扰 (EMI)。 3. 消费电子设备： - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源开关和保护电路。 - 可用作 USB 端口的负载开关，实现过流保护和热插拔功能。 4. 信号切换： - 在需要低导通电阻和低电压降的应用中，可以用作信号路径上的开关，例如音频信号切换或传感器信号路由。 5. 保护电路： - 用于过流保护、短路保护和反向电流保护电路中，确保系统在异常情况下安全运行。 6. 工业应用： - 在工业自动化领域，可用于驱动继电器、LED 照明模块或其他低功率负载。 - 支持高频开关操作，适合开关电源 (SMPS) 和逆变器设计。 总之，SI1427EDH-T1-GE3 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装（DFN1006A-2），非常适合对空间要求严格且需要高效功率管理的设计场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1427EDH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 64 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1427EDH-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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