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产品简介:
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Infineon Technologies的IPP120N20NFDAKSA1是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有以下主要参数:漏源电压(VDS)为200V,连续漏极电流(ID)为120A,导通电阻(RDS(on))为3.8mΩ(典型值),以及栅极电荷(Qg)较低,适合高频开关应用。 应用场景 1. 工业电源转换 IPP120N20NFDAKSA1适用于工业电源系统中的DC-DC转换器和AC-DC转换器。其低导通电阻和高电流能力使其能够高效处理大功率负载,同时保持较低的功耗。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于各种电机驱动应用,例如伺服电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。其高电压和大电流特性能够满足电机启动、加速和运行时的需求。 3. 太阳能逆变器 在太阳能发电系统中,IPP120N20NFDAKSA1可用于逆变器模块,实现高效的直流到交流转换。其高频开关能力和低损耗特性有助于提高系统的整体效率。 4. 不间断电源(UPS) 该器件适用于UPS系统中的功率转换和电池管理电路。其高可靠性设计确保在突发断电情况下提供稳定的后备电源支持。 5. 电动车(EV)与混合动力车(HEV) IPP120N20NFDAKSA1可应用于电动车和混合动力车的车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及牵引逆变器中,助力实现高效的能量管理和动力传输。 6. 焊接设备 在焊接机中,该MOSFET可以用于功率输出级,提供高电流和高电压的稳定输出,以满足不同焊接工艺的需求。 7. 开关电源(SMPS) IPP120N20NFDAKSA1非常适合用于开关电源的设计,包括硬开关和软开关拓扑结构(如PWM控制器、PFC电路等)。其快速开关速度和低损耗特性有助于提升电源的整体性能。 总之,IPP120N20NFDAKSA1凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 84A TO220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP120N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c77d8950149 |
产品图片 | |
产品型号 | IPP120N20NFDAKSA1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 270µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6650pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 84A, 10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 84A (Tc) |