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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSE002N06TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSE002N06TL价格参考¥0.66-¥1.28。ROHM SemiconductorRSE002N06TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSE002N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSE002N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSE002N06TL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景广泛,适用于多种电子设备和电路设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) RSE002N06TL 的低导通电阻(典型值为 2.5mΩ)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的通断,减少能量损耗,提高整体效率。 2. 直流电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机。通过 PWM(脉宽调制)信号控制,可以实现电机的速度调节和方向控制,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备。 3. 负载开关 在便携式设备中,RSE002N06TL 可作为负载开关使用,用于动态管理电源分配。它能够快速响应并减少静态功耗,延长电池寿命。 4. 电池保护电路 该器件可用于锂电池或可充电电池组的保护电路中,防止过充、过放或短路等情况发生,确保电池的安全性和使用寿命。 5. 逆变器和转换器 RSE002N06TL 的高频率开关能力和低导通损耗特性,使其成为 DC-DC 转换器和小型逆变器的理想选择,适用于 LED 驱动、太阳能微逆变器等领域。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器和风扇控制等应用中,该 MOSFET 可提供高效的电流控制和保护功能。 7. 音频放大器 由于其出色的热特性和低导通电阻,RSE002N06TL 可用于音频功率放大器的输出级,以提高效率并降低失真。 8. LED 驱动 在大功率 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用作恒流源的开关元件,确保 LED 的亮度稳定且能耗较低。 总之,RSE002N06TL 凭借其高性能参数和可靠性,适合需要高效功率管理的各种应用场景,特别是在对能效和散热有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 250 mA |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSE002N06TL- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
产品型号 | RSE002N06TL |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 28 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 欧姆 @ 250mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | EMT3 |
其它名称 | RSE002N06TLDKR |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1.7 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | EMT3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.25 S |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 250 mA |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |