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  • 型号: RSE002N06TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RSE002N06TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSE002N06TL价格参考¥0.66-¥1.28。ROHM SemiconductorRSE002N06TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSE002N06TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSE002N06TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RSE002N06TL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景广泛,适用于多种电子设备和电路设计。以下是该型号的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   RSE002N06TL 的低导通电阻(典型值为 2.5mΩ)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的通断,减少能量损耗,提高整体效率。

2. 直流电机驱动  
   该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机。通过 PWM(脉宽调制)信号控制,可以实现电机的速度调节和方向控制,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备。

3. 负载开关  
   在便携式设备中,RSE002N06TL 可作为负载开关使用,用于动态管理电源分配。它能够快速响应并减少静态功耗,延长电池寿命。

4. 电池保护电路  
   该器件可用于锂电池或可充电电池组的保护电路中,防止过充、过放或短路等情况发生,确保电池的安全性和使用寿命。

5. 逆变器和转换器  
   RSE002N06TL 的高频率开关能力和低导通损耗特性,使其成为 DC-DC 转换器和小型逆变器的理想选择,适用于 LED 驱动、太阳能微逆变器等领域。

6. 汽车电子  
   在汽车电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器和风扇控制等应用中,该 MOSFET 可提供高效的电流控制和保护功能。

7. 音频放大器  
   由于其出色的热特性和低导通电阻,RSE002N06TL 可用于音频功率放大器的输出级,以提高效率并降低失真。

8. LED 驱动  
   在大功率 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用作恒流源的开关元件,确保 LED 的亮度稳定且能耗较低。

总之,RSE002N06TL 凭借其高性能参数和可靠性,适合需要高效功率管理的各种应用场景,特别是在对能效和散热有较高要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

250 mA

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSE002N06TL-

mouser_ship_limit

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数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

RSE002N06TL

Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-漏源导通电阻

1.7 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

15pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 欧姆 @ 250mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

EMT3

其它名称

RSE002N06TLDKR

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.7 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

EMT3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.25 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

250 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

250mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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