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NTB5605PT4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB5605PT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB5605PT4G价格参考。ON SemiconductorNTB5605PT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载NTB5605PT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB5605PT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB5605PT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。 其主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关与电池管理;DC-DC转换器,用于提升电源转换效率;负载开关电路,实现对不同功能模块的供电控制;以及电机驱动、LED驱动和热插拔电源控制等中低功率应用。 NTB5605PT4G采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少导通损耗,提高系统能效。同时,它采用小型化表面贴装封装(如TSOP-6或SOT-23变种),节省PCB空间,适合高密度布局设计。此外,该器件符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性与可靠性。 综上,NTB5605PT4G适用于对空间、功耗和效率有较高要求的消费电子、工业控制及便携式设备中的电源管理与开关控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKMOSFET -60V -18.5A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 18.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 18.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB5605PT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTB5605PT4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 88 W |
| Pd-功率耗散 | 88 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 122 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 8.5A,5V |
| 产品种类 | MOSFETs- Power and Small Signal |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB5605PT4GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 88W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18.5A (Ta) |
| 系列 | NTB5605P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |