Datasheet下载- 型号： PMV213SN,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV213SN,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV213SN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV213SN,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMV213SN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV213SN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV213SN,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（逻辑电平驱动），采用小型 SOT-23 表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于实现高效、低功耗的电源通断控制； - LED 驱动与背光控制：在小型 LCD/OLED 显示模块中用作 LED 电流开关或调光控制开关； - USB 接口/Type-C 电源路径管理：作为反向电压保护或电源多路选择（Power MUX）开关，防止反向电流并提升系统可靠性； - DC-DC 转换器同步整流辅助开关：在低压、小功率 DC-DC（如 Buck 降压）中配合主开关实现高效续流控制（需注意其为单 P-MOSFET，通常用于高边开关或反向阻断）； - 工业与消费类嵌入式系统：如传感器节点、IoT 模块中的电平转换、信号隔离或电机/继电器驱动的小电流控制级。 该器件支持逻辑电平驱动（−1.8 V 至 −4.5 V 即可充分导通），兼容 1.8 V/3.3 V MCU GPIO，且具备 ESD 保护（HBM ±2 kV），适合空间受限、注重能效与可靠性的低功耗应用。不适用于大电流（连续 ID ≤ 0.6 A）、高压（VDS = −20 V）或高功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV213SN,215TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMV213SN,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8112-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 9.5 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 250 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tsp） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMV213SN T/R |
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