Datasheet下载- 型号： FQD7N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7N20LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD7N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7N20LTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：FQD7N20LTM 的高耐压能力（200V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - DC-DC 转换器：可用于降压或升压转换器中，作为主开关器件，提供高效的电压转换。 - 负载开关：在需要快速开启和关闭负载的场景中，该 MOSFET 可以实现低导通电阻和快速切换。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型直流电机，尤其是在需要高效率和低功耗的应用中。 - H 桥电路：可以用于构建 H 桥电路以实现电机的正反转控制。 - 步进电机驱动：在多相步进电机驱动中，作为功率级的一部分。 3. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，可以在过流情况下快速关断以保护系统。 - 短路保护：通过检测电流异常并迅速响应，防止下游设备损坏。 4. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR)：用作无机械触点的电子开关，适用于工业控制中的信号隔离和开关。 - 传感器接口：为各种工业传感器提供稳定的电源或信号处理。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如车灯控制、风扇控制等，因其高可靠性适合恶劣环境下的工作。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电路径的开关控制，确保电池安全运行。 6. 消费类电子产品 - 家电控制：如空调、冰箱、洗衣机等家用电器中的风机、压缩机控制。 - 便携式设备：在充电器、适配器等便携式设备中作为高效开关元件。 特性总结 FQD7N20LTM 具有以下关键特性： - 高击穿电压（200V），适合高压应用。 - 极低的导通电阻（典型值 0.19Ω @ Vgs=10V），降低功耗。 - 快速开关速度，支持高频操作。 - 小封装尺寸（TO-252/DPAK），便于紧凑设计。 综上所述，FQD7N20LTM 广泛应用于需要高效功率转换、开关控制以及保护功能的各种领域，尤其适合对可靠性和效率要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAKMOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750m |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD7N20LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD7N20LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 2.75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD7N20LTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
| 系列 | FQD7N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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