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  • 型号: SI3460DDV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI3460DDV-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3460DDV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3460DDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3460DDV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 7.9A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SI3460DDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3460DDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI3460DDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源适配器、负载开关等,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。

2. 电机控制:用于小型电机驱动电路中,实现对电机启停与转速的高效控制。

3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源开关与管理模块。

4. LED照明:用于LED驱动电路中,实现恒流控制与调光功能。

5. 工业自动化:在PLC、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中作为高速开关使用。

6. 通信设备:用于基站、路由器、交换机等设备中的电源模块与信号开关控制。

该器件采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,适用于需要空间节省与高效散热的设计。其良好的热稳定性和可靠性也使其适用于较为严苛的工作环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

666 pF

描述

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOPMOSFET 20V 7.9A N-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.9 A

Id-连续漏极电流

7.9 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3460DDV-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI3460DDV-T1-GE3SI3460DDV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2.7 W

Pd-功率耗散

2.7 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

23 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

11 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

666pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 5.1A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SI3460DDV-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

2.7W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

35 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.9A (Tc)

配置

Single

零件号别名

SI3460DDV-GE3

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