Datasheet下载- 型号： SI7848DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7848DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7848DP-T1-E3价格参考。VishaySI7848DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7848DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7848DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7848DP-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小尺寸DFN封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为负载开关或电源管理模块中的开关元件，实现高效能与低功耗控制。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、电压调节模块中用作同步整流或高端/低端开关，提升转换效率，降低发热。 3. 热插拔与过流保护电路：凭借快速开关特性和良好热稳定性，适用于USB接口、充电管理IC周边电路，防止反向电流和短路冲击。 4. 电机驱动与LED驱动：在小型电机控制或背光驱动中作为开关使用，响应速度快，驱动能力强。 5. 消费类电子产品：如无线耳机、移动电源、智能家居设备等，满足高集成度和小型化设计需求。 SI7848DP-T1-E3具备优良的栅极耐压能力（±12V），支持稳定的逻辑电平控制，适合由低压微控制器直接驱动，简化设计。其无铅、符合RoHS标准，适用于环保要求高的产品。总体而言，该器件特别适合对尺寸、效率和可靠性要求较高的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7848DP-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7848DP-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.83W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.4A （Ta） |
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