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产品简介:
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FQPF17N40 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的场合。 主要参数特点: - 漏源电压(VDS):400V - 连续漏极电流(ID):17A - 导通电阻低,开关速度快 - 适用于高频率开关应用 典型应用场景包括: 1. 电源转换器(SMPS):如AC-DC适配器、电源模块,用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具中的电机控制电路中,提供高效稳定的开关控制。 3. 照明系统:如LED驱动电源,特别适用于需要高效率与高稳定性的场合。 4. 逆变器和UPS系统:用于不间断电源或太阳能逆变器中,作为核心开关元件进行直流到交流的转换。 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备中的电源管理模块。 该MOSFET因其高耐压、大电流能力和良好的热稳定性,适合在中高功率应用中作为主开关器件使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FQPF17N40 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 4.75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Tc) |