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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4863N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4863N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4863N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4863N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4863N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4863N-35G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于高效能电源管理系统中。其应用场景包括: 1. 电源转换器:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提升整体能效。 2. 负载开关与电源管理:可用于笔记本电脑、服务器、工业控制设备中的电源开关控制,实现对负载的快速通断。 3. 马达驱动电路:在小型电机控制应用中,如无人机、电动工具或机器人系统中,作为功率开关元件使用。 4. 电池供电设备:如移动电源、电池管理系统(BMS)等,因其低功耗特性可延长设备续航时间。 5. 同步整流:在开关电源中作为同步整流管使用,降低损耗,提高电源效率。 该器件采用TO-252封装,具备良好的热性能和较高的电流承载能力,适合中高功率应用。其35V的漏源电压和4.7A的连续漏极电流能力,使其在多种电源管理和功率控制场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAKMOSFET NFET 25V 49A 0.0093R DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4863N-35G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4863N-35G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.27 W |
| Pd-功率耗散 | 1.27 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19.7 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 990pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 20.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.27W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |