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产品简介:
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FDP8878 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率转换与管理的场景。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性,适合在高频率和高效率要求的电路中使用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 电机控制:用于电动工具、工业自动化设备和电动车中的电机驱动电路,实现高效能与快速开关控制。 3. 电池管理系统(BMS):应用于储能系统、电动交通工具中,用于电池充放电控制与保护电路。 4. 负载开关与电源分配:作为高效率开关,用于多路电源管理或热插拔系统中,实现对负载的精确控制。 5. 消费电子与工业设备:如LED照明驱动、电源适配器、UPS不间断电源等,满足高效节能的设计需求。 FDP8878凭借其优异的性能和可靠性,在需要高效率、高稳定性和高集成度的现代电子系统中具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP8878 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15 毫欧 @ 40A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 40.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |