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产品简介:
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Renesas Electronics America的型号为RJK1001DPP-E0#T2的器件属于晶体管中的MOSFET类别,具体为单个P沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、低功耗开关功能的电子电路中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器等电源管理电路中,实现高效的电压调节和能量转换。 2. 负载开关:在需要控制电源供应的场合,如笔记本电脑、移动设备和电池供电系统中,作为负载开关使用。 3. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中,用于开关和速度调节。 4. 工业自动化:用于工业控制系统中的信号切换和功率控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制等对可靠性要求较高的汽车应用。 该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性,适合高效率和小尺寸设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RJK1001DPP-E0#T2 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 147nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 40A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Ta) |