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  • 型号: RJK1001DPP-E0#T2
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RJK1001DPP-E0#T2由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJK1001DPP-E0#T2价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJK1001DPP-E0#T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RJK1001DPP-E0#T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RJK1001DPP-E0#T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America的型号为RJK1001DPP-E0#T2的器件属于晶体管中的MOSFET类别,具体为单个P沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、低功耗开关功能的电子电路中。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器等电源管理电路中,实现高效的电压调节和能量转换。
2. 负载开关:在需要控制电源供应的场合,如笔记本电脑、移动设备和电池供电系统中,作为负载开关使用。
3. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中,用于开关和速度调节。
4. 工业自动化:用于工业控制系统中的信号切换和功率控制。
5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制等对可靠性要求较高的汽车应用。

该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性,适合高效率和小尺寸设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 80A TO220

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

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产品图片

产品型号

RJK1001DPP-E0#T2

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10000pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

147nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 40A,10V

供应商器件封装

TO-220FP

功率-最大值

30W

包装

管件

安装类型

*

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Ta)

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