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产品简介:
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IRLZ34NL是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道逻辑电平增强型晶体管。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 开关电源和DC-DC转换器 IRLZ34NL具有低导通电阻(Rds(on))和较低的栅极驱动电压,适合用于开关电源中的功率开关。其典型应用包括降压、升压或反激式DC-DC转换器,能够高效地进行电压调节。 2. 电机驱动 该MOSFET适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其低导通电阻特性,可以减少功率损耗,提高效率,同时支持快速开关操作,适合用于无人机、机器人或其他需要精确控制的小型设备。 3. 负载切换 在消费电子或工业设备中,IRLZ34NL常用于负载切换电路。例如,在手机充电器、笔记本电脑适配器或汽车电子系统中,它可以用作负载开关,实现对不同负载的动态管理。 4. 电池管理系统 (BMS) IRLZ34NL可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关元件。其低导通电阻有助于降低电池系统的功耗,同时支持过流保护和短路保护功能。 5. 音频放大器 在一些低成本或小型化的音频放大器设计中,IRLZ34NL可以用作输出级的功率开关,提供高效的信号放大能力,同时保持较低的热损耗。 6. 太阳能微逆变器 在小型光伏系统中,该MOSFET可以用作逆变器的核心开关元件,帮助将直流电转换为交流电,从而实现太阳能发电的并网或离网应用。 7. LED驱动 对于大功率LED照明系统,IRLZ34NL可以作为PWM调光或恒流驱动电路的一部分,确保LED的亮度稳定且能耗较低。 特性总结 IRLZ34NL的工作电压范围为0~55V,最大连续漏极电流可达32A(在特定条件下)。它的逻辑电平驱动特性使其能够直接与微控制器或其他数字电路配合使用,简化了电路设计。此外,TO-252 (DPAK) 封装形式也便于散热和安装。 综上所述,IRLZ34NL是一款性能优异的N沟道MOSFET,广泛应用于各种需要高效功率开关的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLZ34NL |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 16A,10V |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRLZ34NL |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |