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产品简介:
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HUF75333P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性,适合用于以下场景: 1. 电源管理:常见于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关等电路中,实现高效的能量传输与控制。 2. 电机驱动:在电动车、电动工具或工业自动化设备中作为功率开关,控制电机的启停与转速。 3. 电池管理系统(BMS):用于保护电池组免受过流、短路等损害,确保电池安全运行。 4. 汽车电子:如车载充电器、起停系统、LED照明等应用中,满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 5. 消费类电子产品:例如笔记本电脑、平板电源适配器等便携设备中的电源开关元件。 综上,HUF75333P3因其高性能特性被广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUF75333P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 66A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 66A (Tc) |