Datasheet下载- 型号： IRF6641TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6641TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6641TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6641TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6641TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6641TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRF6641TR1PBF是一款单N沟道MOSFET，具有高效率和低导通电阻的特点，适用于多种功率电子应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高电源转换效率，广泛应用于笔记本电脑、服务器及通信设备的电源模块。 2. 电机控制：适用于直流电机、步进电机的驱动电路，常见于工业自动化、机器人和电动工具中。 3. 负载开关：作为高效电子开关使用，控制电源对负载的供电，如在电池管理系统、智能电表中实现快速通断。 4. 照明系统：用于LED照明的调光与驱动电路，支持高效节能的照明解决方案。 5. 汽车电子：应用于车载电源系统、车灯控制、电动助力转向系统等，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该MOSFET具备良好的热稳定性和高频工作能力，适合需要高效率、高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFETMOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6641TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6641TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 51 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 51 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.9 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 59.9 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6641TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MZ |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta）， 26A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6641pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6641pbf.spi |
| 配置 | Single |
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