ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN012-80BS,118
Datasheet下载- 型号： PSMN012-80BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PSMN012-80BS,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN012-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN012-80BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN012-80BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 74A（Tc） 148W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN012-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN012-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN012-80BS,118 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能，适合高频开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器（如DC-DC转换器）：用于服务器、通信设备和工业电源中的高效能量转换。 2. 负载开关和电源管理：用于控制电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。 3. 电机驱动电路：在工业自动化和消费类电子产品中，用于驱动小型电机和执行机构。 4. 同步整流器：提高开关电源和适配器的效率。 5. 汽车电子系统：如车载充电器、DC-DC转换器和电池管理系统。 该MOSFET适用于需要高效、小型化和高可靠性的电路设计，广泛应用于工业、通信、消费电子和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 74A D2PAKMOSFET N-CH 80 V 11MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 74 A |
| Id-连续漏极电流 | 74 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN012-80BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN012-80BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 148 W |
| Pd-功率耗散 | 148 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 73 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 73 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2782pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9697-6 |
| 功率-最大值 | 148W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 73 V |
| 漏极连续电流 | 74 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 74A （Tmb） |
