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  • 型号: SIS434DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIS434DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIS434DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS434DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS434DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS434DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS434DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIS434DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单晶体管类别。该型号具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点,适合多种应用场景,包括但不限于以下领域:

1. 电源管理  
   - 用于 DC-DC 转换器中的开关元件,实现高效的电压转换。
   - 在降压或升压电路中作为主开关器件,提供稳定的电流输出。
   - 应用于电池管理系统 (BMS),控制充电和放电路径。

2. 电机驱动  
   - 在小型电机驱动电路中用作功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 适用于家用电器(如风扇、水泵)或工业设备中的电机控制。

3. 负载切换  
   - 实现负载的快速接通与断开,确保系统在待机模式下的低功耗。
   - 用于 USB 充电端口保护或负载均衡电路。

4. 逆变器和太阳能系统  
   - 在微型逆变器中作为开关元件,将直流电转换为交流电。
   - 用于太阳能电池板的最大功率点跟踪 (MPPT) 控制电路。

5. 通信设备  
   - 在基站、路由器或其他通信设备中用于信号放大和电源管理。
   - 提供高效的开关性能以降低能耗。

6. 汽车电子  
   - 用于车载电子设备(如车窗升降器、座椅调节器)的驱动电路。
   - 在电动车辆 (EV) 或混合动力车辆 (HEV) 中参与电池管理和电机控制。

7. 消费类电子产品  
   - 在笔记本电脑、平板电脑或智能手机的充电电路中提供高效开关功能。
   - 用于音频放大器或其他便携式设备的电源管理。

SIS434DN-T1-GE3 的低 Rds(on) 特性使其能够减少传导损耗,提高整体效率,同时其紧凑的封装形式(如 PowerPAK® SO-8)非常适合空间受限的设计。此外,该器件的工作温度范围宽广,能够在严苛环境下稳定运行,因此广泛应用于工业、消费和汽车领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS434DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIS434DN-T1-GE3SIS434DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

52 W

Pd-功率耗散

52 W

Qg-GateCharge

40 nC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

25 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1530pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.6 毫欧 @ 16.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SIS434DN-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

52W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

60 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

SISxxxDN

配置

Single

零件号别名

SIS434DN-GE3

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