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SIS434DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS434DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS434DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS434DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS434DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS434DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS434DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单晶体管类别。该型号具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点,适合多种应用场景,包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的开关元件,实现高效的电压转换。 - 在降压或升压电路中作为主开关器件,提供稳定的电流输出。 - 应用于电池管理系统 (BMS),控制充电和放电路径。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中用作功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于家用电器(如风扇、水泵)或工业设备中的电机控制。 3. 负载切换 - 实现负载的快速接通与断开,确保系统在待机模式下的低功耗。 - 用于 USB 充电端口保护或负载均衡电路。 4. 逆变器和太阳能系统 - 在微型逆变器中作为开关元件,将直流电转换为交流电。 - 用于太阳能电池板的最大功率点跟踪 (MPPT) 控制电路。 5. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中用于信号放大和电源管理。 - 提供高效的开关性能以降低能耗。 6. 汽车电子 - 用于车载电子设备(如车窗升降器、座椅调节器)的驱动电路。 - 在电动车辆 (EV) 或混合动力车辆 (HEV) 中参与电池管理和电机控制。 7. 消费类电子产品 - 在笔记本电脑、平板电脑或智能手机的充电电路中提供高效开关功能。 - 用于音频放大器或其他便携式设备的电源管理。 SIS434DN-T1-GE3 的低 Rds(on) 特性使其能够减少传导损耗,提高整体效率,同时其紧凑的封装形式(如 PowerPAK® SO-8)非常适合空间受限的设计。此外,该器件的工作温度范围宽广,能够在严苛环境下稳定运行,因此广泛应用于工业、消费和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS434DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS434DN-T1-GE3SIS434DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1530pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.6 毫欧 @ 16.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS434DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |
| 系列 | SISxxxDN |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIS434DN-GE3 |