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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF630NSTRRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630NSTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRF630NSTRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF630NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF630NSTRRPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景广泛应用于电源管理和开关电路中。以下是该型号的一些具体应用场景：

1. 电源管理：
   - 开关电源（SMPS）：IRF630NSTRRPBF常用于开关电源中的功率转换部分，作为主开关管，实现高效的DC-DC或AC-DC转换。它能够在高频下快速切换，减少能量损耗，提高转换效率。
   - 线性稳压器：在一些需要低噪声、高精度输出电压的应用中，它可以作为线性稳压器的调整元件。

2. 电机控制：
   - 直流电机驱动：在小型直流电机的驱动电路中，该MOSFET可以用来控制电机的启动、停止和调速。它的低导通电阻特性有助于降低功耗，提高电机运行效率。
   - 步进电机和伺服电机：用于多相电机的驱动电路中，实现精确的位置控制和速度调节。

3. 负载开关：
   - 电池管理系统：在电池供电设备中，用作负载开关，控制电池与负载之间的连接，确保在电池电量不足或异常情况下切断电流，保护系统安全。
   - 热插拔保护：在服务器、通信设备等场合，用于实现热插拔功能，防止插入或拔出过程中产生浪涌电流对系统造成损害。

4. 照明系统：
   - LED驱动：在LED照明应用中，作为PWM调光控制器的核心元件，通过调节占空比来控制LED亮度，同时保持较高的能效比。

5. 信号处理：
   - 音频放大器：在某些高性能音频设备中，可以用作输出级的开关元件，以实现高效且低失真的声音再现。

总之，IRF630NSTRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电力电子设备中发挥着重要作用，特别是在需要高效功率转换和精确控制的应用领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	9.5 A
Id-连续漏极电流	9.5 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF630NSTRRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF630NSTRRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	82 W
Pd-功率耗散	82 W
Qg-GateCharge	23.3 nC
Qg-栅极电荷	23.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	300 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	300 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2 V to 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2 V to 4 V
上升时间	14 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	575pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	35nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	300 毫欧 @ 5.4A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
典型关闭延迟时间	27 ns
功率-最大值	82W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	800
正向跨导-最小值	4.9 S
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9.3A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single