Datasheet下载- 型号： PSMN1R6-40YLC:115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R6-40YLC:115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R6-40YLC:115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R6-40YLC:115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN1R6-40YLC:115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R6-40YLC:115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R6-40YLC:115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于晶体管中的 FET（场效应晶体管）类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热性能，适用于对功率密度和能效要求较高的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM），特别是在服务器、通信设备和工业电源中，有助于提升转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动：适用于各类中小型直流电机和步进电机的控制电路，如电动工具、家用电器和工业自动化设备，其低导通电阻可减少发热，提高驱动效率。 3. 电池供电系统：在便携式设备（如移动电源、笔记本电脑、电动自行车）的电池管理系统（BMS）中，用于充放电控制和负载开关，提供高效的电流控制与保护功能。 4. 汽车电子：可用于车载电源系统、LED 照明驱动和辅助电机控制等，满足汽车级可靠性要求，具备良好的温度稳定性。 5. 工业与消费类电子：适用于高密度电源设计、热插拔控制器、负载开关及电源分配系统。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装，具有优良的散热性能和机械可靠性，适合自动化生产，是高效率、小体积电源设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V POWERSO8-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN1R6-40YLC:115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7790pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 934096952115 |
| 功率-最大值 | 288W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1023， 4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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