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FQU10N20CTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU10N20CTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU10N20CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU10N20CTU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU10N20CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU10N20CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU10N20CTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) - FQU10N20CTU 的耐压为 200V,适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,在反激式转换器、升压/降压转换器中作为主开关管。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启停和速度调节。 - 高耐压能力使其能够承受电机启动时的瞬态电压尖峰。 3. 负载开关 - 用于便携式设备(如笔记本电脑、平板电脑等)中的负载开关,控制不同电路模块的供电状态。 - 其快速开关特性和低导通电阻可降低功耗并提升系统效率。 4. 电池保护与管理 - 在电池管理系统(BMS)中,FQU10N20CTU 可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。 - 能够承受电池电压波动带来的高电压冲击。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电,适用于家用电器或工业设备的电源转换场景。 6. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明系统中,作为开关元件用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定。 - 高效的开关性能降低了发热问题。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,可用于车载音响、车窗升降控制器、雨刷电机驱动等场景。 - 其高耐压和可靠性能够适应汽车电气系统的复杂环境。 8. 工业控制 - 在工业自动化领域,该 MOSFET 可用于继电器驱动、电磁阀控制等场景。 - 能够承受工业环境中常见的高压和高电流需求。 总之,FQU10N20CTU 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAKMOSFET N-CH/200V/10A/QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.8 A |
Id-连续漏极电流 | 7.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU10N20CTUQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQU10N20CTU |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 50 W |
Pd-功率耗散 | 50 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 360 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 92 ns |
下降时间 | 72 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 3.9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 343.080 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 70 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 70 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.8A (Tc) |
系列 | FQU10N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQU10N20CTU_NL |