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  • 型号: FQU10N20CTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQU10N20CTU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU10N20CTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU10N20CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU10N20CTU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU10N20CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU10N20CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU10N20CTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FQU10N20CTU 的耐压为 200V,适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,在反激式转换器、升压/降压转换器中作为主开关管。
   - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高电源效率。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启停和速度调节。
   - 高耐压能力使其能够承受电机启动时的瞬态电压尖峰。

 3. 负载开关
   - 用于便携式设备(如笔记本电脑、平板电脑等)中的负载开关,控制不同电路模块的供电状态。
   - 其快速开关特性和低导通电阻可降低功耗并提升系统效率。

 4. 电池保护与管理
   - 在电池管理系统(BMS)中,FQU10N20CTU 可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。
   - 能够承受电池电压波动带来的高电压冲击。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器中,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电,适用于家用电器或工业设备的电源转换场景。

 6. LED 驱动
   - 在大功率 LED 照明系统中,作为开关元件用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定。
   - 高效的开关性能降低了发热问题。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,可用于车载音响、车窗升降控制器、雨刷电机驱动等场景。
   - 其高耐压和可靠性能够适应汽车电气系统的复杂环境。

 8. 工业控制
   - 在工业自动化领域,该 MOSFET 可用于继电器驱动、电磁阀控制等场景。
   - 能够承受工业环境中常见的高压和高电流需求。

总之,FQU10N20CTU 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAKMOSFET N-CH/200V/10A/QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.8 A

Id-连续漏极电流

7.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU10N20CTUQFET®

数据手册

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产品型号

FQU10N20CTU

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

360 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

360 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

92 ns

下降时间

72 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

360 毫欧 @ 3.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

50W

包装

管件

单位重量

343.080 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

70

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

70

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.8A (Tc)

系列

FQU10N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQU10N20CTU_NL

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