【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF5805TRPBF】封装/厂家_IRF5805TRPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5805TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRF5805TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF5805TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5805TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5805TRPBF价格参考。International RectifierIRF5805TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）。您可以下载IRF5805TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5805TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF5805TRPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS)：IRF5805TRPBF 常用于开关电源的功率级电路中，作为开关器件实现高效的电压转换。
   - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)：适用于降压或升压型 DC-DC 转换器，提供稳定的输出电压。
   - 负载切换：在需要快速切换负载的场景中，例如电池管理系统 (BMS) 或电源分配模块。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC)：用于驱动小型无刷直流电机，特别是在家电、工业自动化和消费电子领域。
   - 步进电机控制：作为功率级器件，参与步进电机的电流调节和方向控制。
   - 风扇控制：广泛应用于散热风扇的速度调节和启停控制。

 3. 汽车电子
   - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刮器等需要功率控制的系统。
   - LED 照明：用于汽车 LED 灯光系统的驱动电路，提供高效率和低损耗。
   - 电池管理系统 (BMS)：监控和保护电动车或混合动力车的电池组。

 4. 消费类电子产品
   - 音频放大器：在 D 类音频放大器中用作开关元件，以提高效率并减少热量产生。
   - 充电器和适配器：用于便携式设备（如手机、平板电脑）的充电器中，提供高效功率传输。
   - 游戏设备：如手柄振动马达驱动、冷却风扇控制等。

 5. 工业应用
   - 可编程逻辑控制器 (PLC)：用于 PLC 的输出驱动部分，控制外部设备的运行。
   - 传感器接口：为传感器供电或信号调理提供必要的功率支持。
   - 工业自动化设备：如机器人关节驱动、伺服控制系统等。

 总结
IRF5805TRPBF 凭借其低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合多种需要高效功率转换和控制的应用场景。无论是消费电子、汽车电子还是工业自动化领域，这款 MOSFET 都能发挥重要作用，满足对可靠性、效率和性能的严格要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOPMOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 3.8 A
Id-连续漏极电流	- 3.8 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5805TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF5805TRPBF
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
Qg-GateCharge	11 nC
Qg-栅极电荷	11 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	165 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	165 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	511pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	98 毫欧 @ 3.8A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Micro6™（TSOP-6）
其它名称	IRF5805TRPBFCT
功率-最大值	2W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
封装/箱体	TSOP-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.8A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5805.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5805.spi

样品试用

万种样品免费试用

去申请

IRF5805TRPBF 相关产品

SI7114DN-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

IRF7402TR

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRFI540NPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：￥4.49-￥14.82

联系销售

IXTR170P10P

品牌：IXYS

价格：￥127.00-￥152.40

联系销售

BUZ31L E3044A

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

TK32A12N1,S4X

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：￥4.44-￥10.72

联系销售

IRLML6402TR

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

NTD25P03LRLG

品牌：ON Semiconductor

价格：

猜你喜欢最新产品推荐其他制造商

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD -95340A IRF5805PbF HEXFET® Power MOSFET (cid:1) Ultra Low On-Resistance (cid:1) P-Channel MOSFET V R max I DSS DS(on) D (cid:1) Surface Mount -30V 0.098@VGS = -10V -3.8A (cid:1) Available in Tape & Reel 0.165@VGS = -4.5V -3.0A (cid:1) Low Gate Charge (cid:1) Lead-Free (cid:1) Halogen-Free Description A These P-channel MOSFETs from International Rectifier D 1 6 D utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This D 2 5 D benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. G 3 4 S The TSOP-6 package with its customized leadframe Top View TSOP-6 produces a HEXFET(cid:1) power MOSFET with R DS(on) 60% less than a similar size SOT-23. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and R DS(on) reduction enables a current-handling increase of nearly 300% compared to the SOT-23. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-Source Voltage -30 V DS ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -3.8 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -3.0 A IDM Pulsed Drain Current(cid:1) -15 PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation(cid:2) 2 W PD @TA = 70°C Maximum Power Dissipation(cid:2) 1.28 W Linear Derating Factor 0.02 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V T , T Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C J STG Thermal Resistance Parameter Max. Units RθJA Maximum Junction-to-Ambient(cid:2) 62.5 °C/W www.irf.com 1 04/20/10

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.02 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance –(cid:2)–(cid:2)–(cid:2) –––––– 00..019658 Ω VVGGSS == --41.05VV,, IIDD == --33..80AA(cid:1) (cid:3)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage -1.0 ––– -2.5 V VDS = VGS, ID = -250µA gfs Forward Transconductance 3.5 ––– ––– S VDS = -10V, ID = -3.8A I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -15 (cid:5)(cid:3) VDS = -24V, VGS = 0V DSS ––– ––– -25 VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 70°C (cid:4) Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 (cid:6)(cid:3) VGS = -20V (cid:2)(cid:3)(cid:3) Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– 100 VGS = 20V Qg Total Gate Charge ––– 11 17 ID = -3.8A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 2.3 ––– nC VDS = -15V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 1.5 ––– VGS = -10V td(on) Turn-On Delay Time ––– 11 17 VDD = -15V, VGS = -10V tr Rise Time ––– 14 21 (cid:6)(cid:7) ID = -1.0A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 90 135 RG = 6.0Ω tf Fall Time ––– 49 74 RD = 15Ω(cid:1)(cid:3) Ciss Input Capacitance ––– 511 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 79 ––– pF VDS = -25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 50 ––– ƒ = 1.0MHz Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2) -2.0 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:3) ISM Pulsed Source Current (cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2) -15 integral reverse G (Body Diode) (cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.2 V TJ = 25°C, IS = -2.0A, VGS = 0V(cid:1)(cid:3) trr Reverse Recovery Time ––– 19 29 ns TJ = 25°C, IF = -2.0A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 16 24 nC di/dt = -100A/µs(cid:1)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2)(cid:1)(cid:1)Surface mounted on 1 in square Cu board, t(cid:1)≤ 10sec. max. junction temperature. (cid:3)Pulse width(cid:1)≤ 400µs(cid:8)(cid:1)duty cycle ≤ 2%(cid:9) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 100 100 V GS V GS TOP -10.0V TOP -10.0V -4.5V -4.5V A) -3.7V A) -3.7V en(t 10 --33..53VV en(t 10 --33..53VV Curr --32..07VV Curr --32..07VV e BOTTOM -2.5V e BOTTOM -2.5V oucr 1 oucr 1 S S no--t no--t -2.5V ai ai Dr, D 0.1 -2.5V Dr, D 0.1 -I -I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH Tj = 150°C Tj = 25°C 0.01 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS , Drain-to-Source Voltage (V) -VDS , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 ce 2.0 ID=-3.8A A) an nt ( sist e e r R 1.5 ur n C 10 O e e d) Sourc TJ = 150 ° C Sourcmalize 1.0 n-to- n-to-Nor ai 1 ai( Dr TJ = 25 ° C Dr -I , D V20 D µ Ss =P -U1L5SVE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=-10V 0.1 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 -VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( ° C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 800 VGS = 0V, f = 1 MHZ 16 ID=-3.8A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED V) VVDS==--1254VV Crss = Cgd e ( DS g 600 Coss = Cds + Cgd a 12 Fp) Ciss Volt e( e c c n r a u cti 400 So 8 a p o- Ca -t C , ate G 200 Coss V , GS 4 Crss - 0 0 1 10 100 0 2 4 6 8 10 12 14 Q , Total Gate Charge (nC) V , Drain-to-Source Voltage (V) G DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 100 OPERATION IN THIS AREA LIMITED A) BY RDS(on) ( nt re A)A) Cur 10 nt (nt ( 10 10us ain TJ = 150 ° C urreurre Dr CC 100us se ain ain er DrDr -I , RevSD 1 TJ = 25 ° C -I , I , D 1 TC= 25 ° C 11m0mss TJ= 150 °C V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0.1 1 10 100 -VS D ,Source-to-Drain Voltage (V) -VD S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 4.0 (cid:11) (cid:4) (cid:10) (cid:4)(cid:3) (cid:10) (cid:2)(cid:3) (cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:9) A) 3.0 (cid:11)(cid:2) nt ( +- (cid:10)(cid:4)(cid:4) e r Cur (cid:10)(cid:2)(cid:3) n 2.0 (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:1)≤ 1 (cid:15)(cid:8) ai (cid:4)(cid:6)(cid:13)(cid:16)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:1)≤ 0.1 % Dr -I , D1.0 Fig 10a. Switching Time Test Circuit td(on) tr td(off) tf VGS 0.0 10% 25 50 75 100 125 150 T , Case Temperature ( ° C) C 90% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VDS Case Temperature Fig 10b. Switching Time Waveforms 100 ) D = 0.50 Z thJA 0.20 ( 10 se 0.10 n po 0.05 s e R 0.02 al 0.01 PDM m 1 er (THESRINMGALLE R PEUSLPSOENSE) t1 h t2 T Notes: 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJA+ TA 0.1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) )ec( Ω00..455000 ) e( Ω 0.400 n c Reassti 0.400 Resansit 0.300 On 0.350 On ouecr 0.300 ouecr 0.200 VGS = -4.5V S 0.250 S Dnoa-r- t,in)00..125000 ID = -3.8A Danor, -t-in) 0.100 VGS = -10V o o DS(0.100 S ( R D 0.050 R 0.000 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 0 5 10 15 20 -VGS, Gate -to -Source Voltage (V) -ID , Drain Current ( A ) Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Drain Current Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ QG 12V .2µF .3µF - QGS QGD D.U.T. +VDS VGS VG -3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform Fig 14b. Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 30 2.5 25 2.3 20 V() Sh()t 2.1 ID = -250µA Wweor() 15 G P V 1.9 - 10 1.7 5 0 1.5 0.001 0.010 0.100 1.000 10.000 100.000 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Time (sec) TJ , Temperature ( °C ) Fig 15. Typical Vgs(th) Vs. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:1)(cid:1)Typical Power Vs. Time Junction Temperature www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:11) (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:18)(cid:14)(cid:12)(cid:19)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:12)(cid:20)(cid:17)(cid:21)(cid:22)(cid:18)(cid:23)(cid:7)(cid:14)(cid:16)(cid:22)(cid:17) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:8)(cid:19)(cid:6)(cid:3)(cid:6)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:10)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:17)(cid:25)(cid:17)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:18)(cid:10)(cid:3)(cid:23)(cid:22)(cid:6)(cid:26)(cid:5)(cid:23)(cid:19)(cid:10)(cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:9)(cid:4)(cid:19)(cid:29) (cid:5)(cid:23)(cid:7)(cid:6)(cid:10)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:21) (cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:29) (cid:9) (cid:21)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13) (cid:13) (cid:2)(cid:13) (cid:23) (cid:8)(cid:23)(cid:19)(cid:7)(cid:10)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:20)(cid:6)(cid:19) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:29) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1) (cid:1) (cid:2)(cid:1) (cid:20) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:30) (cid:30) (cid:2)(cid:30) (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:2) (cid:2) (cid:5) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:31) (cid:31) (cid:22)(cid:4)(cid:7) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15) (cid:15) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:0) (cid:0) (cid:3)(cid:27)(cid:14)(cid:9)(cid:17)(cid:19)(cid:6)(cid:10)(cid:17)(cid:26)(cid:5)(cid:17)(cid:3)(cid:23)(cid:7)(cid:4)(cid:19) (cid:7)(cid:4)(cid:8) (cid:1)(cid:2)(cid:2)" " (cid:1)(cid:2)(cid:2)) ) (cid:1)(cid:2)(cid:13)(cid:2) (cid:2) (cid:1) * (cid:8)(cid:23)(cid:19)(cid:7)(cid:10)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:20)(cid:6)(cid:19)(cid:10)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:19)(cid:6)(cid:18)(cid:6)(cid:19)(cid:6)(cid:26)(cid:3)(cid:6)! (cid:1)(cid:31) (cid:21) (cid:1)(cid:15) + (cid:23)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:24)(cid:17)(cid:30) (cid:30)(cid:5)# (cid:29)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:13)(cid:2) (cid:20)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:2) (cid:22)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:1)(cid:0)(cid:14)(cid:31)(cid:1)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:8)(cid:19)(cid:6)(cid:3)(cid:6)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:10)(cid:23)(cid:10)(cid:22)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:6)(cid:19) (cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:31)(cid:2) (cid:28)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:30) (cid:9)(cid:4)(cid:19)(cid:29) (cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:31)(cid:13) (cid:26)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:1) (cid:21)(cid:6)(cid:23)(cid:19) (cid:21) (cid:9)(cid:6)(cid:6)(cid:29) (cid:9) (cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:31)(cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:13) (cid:23) (cid:1)(cid:0) (cid:23) (cid:18)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:13) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:1) (cid:20) (cid:1)" (cid:20) (cid:17)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:31) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:30) (cid:3) (cid:1)) (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:2) (cid:5) (cid:30)(cid:2) (cid:5) $(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:19)(cid:18)(cid:31)"(cid:2)(cid:15) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:31) (cid:6) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:15) (cid:18) (cid:26)%&’(!(cid:10) (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:0) (cid:25) (cid:14)(cid:23)(cid:10)-./’(cid:10)01%2’(cid:10)&3’(cid:10)4%56(cid:10)4’’6(cid:10)(cid:12)0((cid:10)(3%4/(cid:10)3’5’(cid:16)(cid:10)./7.80&’((cid:10)(cid:22)’07(cid:14)(cid:18)5’’ (cid:1)(cid:2)(cid:2)" , (cid:14)(cid:23)(cid:10)-./’(cid:10)1’-%4(cid:10)&3’(cid:10)905&(cid:10)/:;1’5(cid:10)(cid:12)0((cid:10)(3%4/(cid:10)3’5’(cid:16)(cid:10)./7.80&’((cid:10)(cid:3):(cid:14)4.5’ (cid:1)(cid:2)(cid:2)) $ (cid:1)(cid:2)(cid:13)(cid:2) (cid:29) (cid:31)(cid:2) * (cid:31)(cid:13) (cid:21) (cid:31)(cid:1) + Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:1)(cid:7)(cid:24)(cid:11)(cid:12)(cid:25)(cid:12)(cid:26)(cid:11)(cid:11)(cid:15)(cid:12)(cid:20)(cid:17)(cid:21)(cid:22)(cid:18)(cid:23)(cid:7)(cid:14)(cid:16)(cid:22)(cid:17) (cid:1) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualifications Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.04/2010 www.irf.com 9

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF5805TRPBF