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产品简介:
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IRFR9110TRR 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点,适合用于负载开关、电源管理、电池供电设备及 DC-DC 转换器等电路中。 常见应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电源切换与节能控制。 2. 电机驱动与继电器替代:在电机控制或固态继电器中作为高效开关使用。 3. 电池保护电路:用于电池充放电管理,防止反向电流和过载。 4. DC-DC 转换器与同步整流:在电源转换电路中作为高效率开关元件。 5. 工业控制设备:如 PLC、传感器模块和自动化系统中的功率控制部分。 其封装形式为表面贴装的 8-SOIC,适合自动化生产和高密度 PCB 设计,广泛应用于中低功率的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91279 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRFR9110TRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 1.9A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A (Tc) |