Datasheet下载- 型号： FDD86326
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86326由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86326价格参考。Fairchild SemiconductorFDD86326封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD86326参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD86326 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD86326 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件常用于高效率电源转换和功率管理应用。 主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等中的电源模块，用于提升或降低电压，实现高效能量转换。 2. 同步整流器：在开关电源（SMPS）中替代传统二极管整流，提高转换效率，降低损耗和发热。 3. 负载开关：用于控制电源对负载的供给，如在电池管理系统、便携式设备中实现电源隔离与节能。 4. 电机驱动电路：用于小型电机或风扇控制，提供快速开关响应和低导通电阻。 5. 电池充电管理：在充电电路中作为功率开关，实现对电池的安全高效充电。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适合高频开关应用，广泛应用于通信电源、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAKMOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86326PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD86326 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 62 W |
| Pd-功率耗散 | 62 W |
| Qg-GateCharge | 7.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1035pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD86326CT |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 37 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta）， 42A （Tc） |
| 系列 | FDD86326 |
| 配置 | Single |
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