Datasheet下载- 型号： PH2625L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH2625L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH2625L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH2625L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH2625L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH2625L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH2625L,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型 SOT-23（SC-59）表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 55 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）和高开关效率等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动，得益于其逻辑电平驱动能力（可直接由1.8V/3.3V MCU GPIO控制）及小尺寸。 ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中用作高效整流开关，降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电机驱动与继电器替代方案：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）或电磁阀的低电流（ID ≤ 2.5 A连续，脉冲可达6 A）开关控制，实现无触点、长寿命、低噪声驱动。 ✅ USB端口过流保护与热插拔控制：配合限流检测电路，用于USB 2.0/Type-C接口的电源路径管理。 该器件工作结温范围为–55°C 至 +150°C，具备ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适合空间受限、对功耗与可靠性要求较高的消费类及工业嵌入式应用。注意：实际使用需合理设计PCB散热焊盘以保障持续电流能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH2625L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4308pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2177-1 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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