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产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 PH2625L,115 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器等,提高电源转换效率,降低能耗。 2. 负载开关:作为电子开关控制电源对负载的供给,常见于电池供电设备中。 3. 马达驱动:用于小型电机控制电路中,实现对电机启停和转速的调节。 4. LED照明:作为恒流驱动或开关元件,用于LED背光或照明系统。 5. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的功率控制模块。 6. 工业控制:用于自动化设备中的电源开关和信号控制。 该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有要求的现代电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PH2625L,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4308pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 25A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-2177-1 |
功率-最大值 | 62.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |