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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84-7-F价格参考¥0.14-¥0.16。Diodes Inc.BSS84-7-F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载BSS84-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS84-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS84-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 沟道 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件广泛应用于各类电子设备中,主要因其低阈值电压、小封装尺寸和高可靠性而受到青睐。 典型应用场景包括便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,常用于电源管理电路中的负载开关或电池隔离,实现低功耗待机模式下的电源控制。此外,BSS84-7-F 也适用于信号切换电路,例如在音频或数据线路中作为模拟开关,利用其良好的导通电阻特性实现信号通断控制。 在电源管理系统中,该 MOSFET 可用于反向电流阻断、电源多路选择或热插拔保护,防止电流倒灌损坏主控芯片。由于其采用 SOT-23 小型封装,非常适合空间受限的高密度 PCB 设计。 工业控制和消费类电子设备中,BSS84-7-F 常作为逻辑电平转换器的一部分,配合 N 沟道 MOSFET 使用,实现不同电压域之间的信号接口匹配。同时,因其良好的温度稳定性和可靠性,也可用于汽车电子中的非动力系统,如车载信息娱乐模块或传感器接口电路。 总之,BSS84-7-F 凭借其优异的电气性能和紧凑封装,广泛应用于电源管理、信号切换、电平转换及保护电路等场景,是现代电子设计中常用的通用型 P 沟道 MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3MOSFET -50V 250mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 130 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 130 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS84-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS84-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 100mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BSS84-FDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.05 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130mA (Ta) |
| 系列 | BSS84 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |