Datasheet下载- 型号： IXFN21N100Q
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN21N100Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN21N100Q价格参考。IXYSIXFN21N100Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN21N100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN21N100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN21N100Q是一款高压增强型N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有1000V的高漏源击穿电压和21A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中等电流的功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 高压电源系统：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中，特别是在需要耐受高电压冲击的工业电源中表现优异。 2. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电机驱动逆变电路中，作为主开关元件，实现高效的能量转换。 3. 工业控制与电机驱动：适用于高压电机控制、电焊机设备和工业自动化系统，提供可靠的高速开关性能。 4. 脉冲功率系统：如激光驱动器、电容放电电路和高压脉冲发生器，利用其快速开关特性和高耐压能力。 5. 电力输配与保护设备：用于固态继电器（SSR）、高压开关模块和电网监控装置中，实现无触点控制和过载保护。 IXFN21N100Q具备低导通电阻、优良的热稳定性和抗雪崩能力，适合在高温、高应力环境下工作。其TO-268封装便于散热安装，广泛应用于工业、能源和电力电子领域，尤其适用于对可靠性和耐压要求较高的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN21N100Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 520W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A |
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