Datasheet下载- 型号： SIR418DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR418DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR418DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR418DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR418DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR418DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR418DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：SIR418DP-T1-GE3的低导通电阻（典型值为15mΩ@Vgs=10V）使其非常适合用于高效能的降压或升压DC-DC转换器中，减少功率损耗并提高效率。 - 负载开关：在便携式设备、消费电子产品和工业系统中，该MOSFET可用作高效的负载开关，控制电路的通断。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：由于其快速开关特性和低功耗，SIR418DP-T1-GE3适合驱动小型直流电机，如风扇、泵或玩具中的电机。 - H桥电路：可用于构建H桥电路以实现电机的正反转控制。 3. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池保护板或电池管理系统中，该MOSFET可以用作电池充放电路径的开关，确保过流、短路和过温保护功能的实现。 4. 信号切换 - 高速信号切换：得益于其低栅极电荷（Qg）和快速开关速度，该MOSFET适用于高频信号切换场景，例如音频信号切换或数据通信中的多路复用器。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑/平板电脑适配器：用于适配器中的功率级电路，提供高效的功率传输。 - USB充电器：支持USB-PD协议的快充适配器中，可作为同步整流或开关元件使用。 6. 工业应用 - 工业自动化设备：在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口或伺服控制系统中，作为功率开关或信号隔离元件。 - LED驱动：用于大功率LED照明系统的恒流驱动电路中，提供稳定的电流输出。 7. 汽车电子 - 车载电子设备：如车载音响、导航系统或车内照明控制中，作为功率开关或负载驱动元件。 - 辅助电源模块：用于汽车启停系统或48V轻混系统的辅助电源模块中。 总之，SIR418DP-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8MOSFET 40V 40A 39W 5.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?65153 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR418DP-T1-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR418DP-T1-GE3SIR418DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 73 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2410pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 零件号别名 | SIR418DP-GE3 |
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