Datasheet下载- 型号： BUK652R3-40C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK652R3-40C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK652R3-40C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK652R3-40C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK652R3-40C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK652R3-40C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BUK652R3-40C,127 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的 FET/MOSFET 单管类别。该器件具有 40V 的漏源电压（VDS）和高达 240A 的连续漏极电流能力，导通电阻极低（典型值仅 1.3mΩ），具备优异的导通性能和能量效率。 该 MOSFET 主要适用于高电流、低电压开关应用场景，常见于汽车电子和工业控制领域。在汽车应用中，常用于车载电源系统、电机驱动（如冷却风扇、燃油泵、雨刮电机）、LED 前照灯驱动以及电池管理系统（BMS）中的负载开关。其高可靠性和符合 AEC-Q101 认证，使其特别适合严苛的汽车工作环境。 此外，BUK652R3-40C,127 也广泛应用于服务器电源、DC-DC 转换器、电源管理模块等高效能电源系统中，作为同步整流或主开关器件，有助于降低功耗、提高整体效率。其采用 LFPAK 封装，热性能优良，便于散热，适合紧凑型高功率密度设计。 综上，该型号适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的汽车电子与工业电源场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK652R3-40C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7492-5 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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