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Datasheet下载- 型号： IRFB7534PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFB7534PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7534PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7534PBF价格参考。International RectifierIRFB7534PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB7534PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB7534PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFB7534PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： IRFB7534PBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动： 该器件适用于无刷直流电机（BLDC）和其他电机控制应用。其高电流处理能力和快速开关速度使其能够有效驱动电机并实现精确的速度和扭矩控制。 3. 电池管理系统（BMS）： 在电动汽车、电动工具和便携式电子设备中，IRFB7534PBF可用于电池保护电路，提供过流保护和负载切换功能。 4. 逆变器和太阳能系统： 该MOSFET可用于光伏逆变器和微型逆变器中，以实现高效的电能转换和管理。 5. 负载开关和保护电路： IRFB7534PBF可用作负载开关，提供短路保护、过流保护和热关断功能，确保系统的安全运行。 6. 工业自动化： 在工业自动化设备中，如可编程逻辑控制器（PLC）和继电器替代方案中，该器件可实现高效、可靠的开关操作。 7. 汽车电子： 该MOSFET适合汽车应用，例如启动马达控制、电动车窗和座椅调节等，满足汽车行业对可靠性和效率的严格要求。 IRFB7534PBF以其卓越的电气性能和耐用性，成为许多高性能电子系统中的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 195A TO-220ABMOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 195 A |
| Id-连续漏极电流 | 195 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7534PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB7534PBF |
| Pd-PowerDissipation | 294 W |
| Pd-功率耗散 | 294 W |
| Qg-GateCharge | 186 nC |
| Qg-栅极电荷 | 186 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 134 ns |
| 下降时间 | 93 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10034pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 279nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 118 ns |
| 功率-最大值 | 294W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 498 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
| 配置 | Single |
