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  • 型号: IXFA4N100Q-TRL
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFA4N100Q-TRL由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFA4N100Q-TRL价格参考。IXYSIXFA4N100Q-TRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFA4N100Q-TRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFA4N100Q-TRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFA4N100Q-TRL是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管,适用于高电压和中高功率应用。该器件具有较高的耐压能力(1000V)和良好的导通性能,适合用于需要高效能和高可靠性的电路中。

该MOSFET的典型应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于提高能量转换效率并减小体积。

2. 电机驱动系统:可用于工业自动化设备、变频器及电机控制模块中,作为开关元件实现对电机速度和转矩的精确控制。

3. 照明系统:适用于高亮度LED照明或气体放电灯的电子镇流器中,提供高效稳定的电流控制。

4. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能转换系统等,用于将直流电转换为交流电并网使用。

5. 家电控制:如电磁炉、电热水器等高功率家电中的功率控制模块。

6. 汽车电子:在电动汽车或混合动力汽车的辅助电源系统中,用于功率调节和管理。

该器件采用表面贴装(SMD)封装,适合自动化生产,适用于对空间和散热有一定要求的设计。由于其高耐压特性,也常用于隔离式电源设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFA4N100Q-TRL

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 1.5mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1050pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 2A,10V

供应商器件封装

TO-263 (IXFA)

其它名称

IXFA4N100Q-TRLDKR

功率-最大值

150W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Tc)

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