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  • 型号: STB11NM80T4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB11NM80T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB11NM80T4价格参考。STMicroelectronicsSTB11NM80T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB11NM80T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB11NM80T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STB11NM80T4

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1630pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

400 毫欧 @ 5.5A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-4319-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67096?referrer=70071840

功率-最大值

150W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

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