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  • 型号: BUK7212-55B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7212-55B,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7212-55B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7212-55B,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7212-55B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7212-55B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK7212-55B,118 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率开关的场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制及电池供电设备等场景。

典型应用场景包括:

1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器,用于高效能开关操作;
2. 负载开关与继电器替代:在工业自动化、消费电子中用于控制负载的通断;
3. 马达驱动与功率控制:用于小型马达、风扇或执行机构的高效控制;
4. 电池管理系统(BMS):在电动工具、电动车、储能系统中用于充放电控制;
5. 汽车电子:如车载充电系统、辅助设备控制等,因其可靠性和高效率而受到青睐。

该MOSFET采用标准封装(如TO-220或DPAK),便于散热和安装,适合中高功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 75A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK7212-55B,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2453pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

DPAK

其它名称

568-6570-1

功率-最大值

167W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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