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Datasheet下载- 型号： STW30N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STW30N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW30N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW30N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW30N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 650V 22A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW30N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW30N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW30N65M5是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压（650V）和良好热性能的特点，适用于多种功率转换和控制场景。 主要应用场景包括： 1. 电源供应器：用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，提升能效和功率密度。 2. 电机驱动：适用于工业自动化和家电中的电机控制电路，提供稳定高效的功率输出。 3. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、UPS系统和变频驱动中，用于直流到交流的高效转换。 4. 电动车相关系统：如车载充电器和DC-DC转换器，满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。 5. 工业控制系统：用于工业负载开关、电源管理和高边/低边开关应用。 该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和安装，适合高功率应用场景。其优化的栅极电荷和开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW30N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW30N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 64 nC |
| Qg-栅极电荷 | 64 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 139 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 139 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 139 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-10655-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF222418?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | STW30N65M5 |
| 配置 | Single |
