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SI4446DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4446DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4446DY-T1-E3价格参考。VishaySI4446DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4446DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4446DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4446DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点,适用于多种电源管理和功率开关应用场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低功耗。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于电池充放电管理及电源路径控制。 3. 电机驱动与负载控制:在小型电机、风扇或继电器的驱动电路中,作为高效开关使用。 4. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的功率开关,如PLC模块、传感器电源控制等。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制、电动工具等对可靠性和效率要求较高的汽车应用。 该 MOSFET 采用小型封装(如 TSOP),节省空间,适合高密度 PCB 设计。其高可靠性和稳定性也使其广泛应用于对性能要求较高的消费类和工业类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOICMOSFET 40V 5.2A 3.0W 40mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4446DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4446DY-T1-E3SI4446DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 5.2A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4446DY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4446DY-E3 |