Datasheet下载- 型号： FQB7N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7N20LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB7N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB7N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7N20LTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压（200V）和较高电流承载能力的特点，适用于以下典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC或DC/DC转换器中，作为主开关元件，实现高效能电能转换。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中，作为功率开关使用，控制电机启停与转速。 3. 逆变器与变频器：用于UPS、太阳能逆变器等设备中，进行直流到交流的电能转换。 4. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如加热元件、LED照明系统等。 5. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电电路中作为开关元件，实现过流与短路保护。 该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，便于散热与安装，适合中高功率应用。其低栅极电荷特性有助于提高开关速度，降低开关损耗，提升系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB7N20LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 3.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Tc） |
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