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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU3P20TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU3P20TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU3P20TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQU3P20TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU3P20TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU3P20TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),能有效减少导通损耗,提高系统效率。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和电池供电设备中的电源开关,帮助实现高效能电源系统。 2. 负载开关:用于控制电源到负载的通断,如在服务器、工业控制系统和便携设备中实现对特定模块的电源管理。 3. 逆变器与电机控制:作为功率开关元件,用于小型逆变器或直流电机控制电路中,配合H桥结构实现方向控制。 4. 保护电路:可用于过流保护、热插拔控制电路中,提供快速响应和可靠保护。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、充电器等产品中的电源转换和管理模块。 FQU3P20TU采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于需要高效、低功耗和小体积设计的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU3P20TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7 欧姆 @ 1.2A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |