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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF620PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF620PBF价格参考。VishayIRF620PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF620PBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于电源适配器、DC-DC 转换器等,因其具备较高的耐压和良好的导通电阻特性,适合用于高频开关场合。 2. 电机驱动电路:可用于直流电机或步进电机的控制电路中,作为高速开关元件,提供高效的能量传输。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,该器件可用于将直流电转换为交流电的过程,具有良好的热稳定性和可靠性。 4. 照明控制:如LED照明调光电路或HID灯镇流器中,用作功率控制开关。 5. 工业自动化设备:在PLC、继电器替代方案或工业控制模块中实现快速、低损耗的电子开关功能。 该MOSFET采用TO-220封装,易于散热和安装,广泛应用于中功率级别的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF620PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF620PBFIRF620PBF |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 3.1A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF620PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |