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  • 型号: MTD6P10E
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6P10E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6P10E价格参考。ON SemiconductorMTD6P10E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTD6P10E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD6P10E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTD6P10E是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于开关和功率控制应用。该器件具有-60V的漏源电压(VDS)和-5.3A的连续漏极电流能力,适合中等功率场景。

MTD6P10E广泛应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制。由于其P沟道特性,常用于高边开关(High-side Switch)设计,无需复杂的驱动电路即可实现电源通断控制,适用于便携式电子产品,如移动电源、平板电脑和小型家电。

此外,该MOSFET也适用于电机驱动、继电器驱动和LED照明控制等工业与消费类电子场景。其封装形式(TO-220或DPAK)具备良好的散热性能,适合在紧凑空间内进行高效功率切换。MTD6P10E还具备较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低功耗,提高系统能效。

综上所述,MTD6P10E适用于需要可靠、高效电源开关控制的中低功率应用,尤其适合对空间和能耗有要求的电池供电设备及工业控制模块。
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