ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFB3077PBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFB3077PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3077PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3077PBF价格参考。International RectifierIRFB3077PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB3077PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB3077PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB3077PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRFB3077PBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM),能够高效地进行电压转换和电流控制,满足现代电子设备对能效的要求。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机,广泛应用于家用电器、工业自动化设备以及消费电子产品中。 3. 负载开关:在需要快速切换负载的电路中,如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中,这款MOSFET可以作为高效的负载开关使用。 4. 电池保护与管理:IRFB3077PBF可用于电池管理系统(BMS),帮助实现过流保护、短路保护等功能,确保锂电池等可充电电池的安全运行。 5. 通信设备:在基站、路由器及其他通信基础设施中,此器件可用来处理信号放大和功率调节任务。 6. 汽车电子:尽管具体应用取决于是否符合车规级标准,但类似规格的产品常用于汽车内的各种控制系统,比如雨刷控制、电动车窗升降等。 总之,凭借其低导通电阻、高击穿电压和优良的热性能,IRFB3077PBF非常适合用作高性能开关元件,在众多领域内发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 210 A |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3077PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB3077PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 370 W |
| Pd-功率耗散 | 370 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 370W |
| 功率耗散 | 370 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 210 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb3077pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb3077pbf.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |