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Datasheet下载- 型号： PSMN035-150P,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN035-150P,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN035-150P,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN035-150P,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN035-150P,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN035-150P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN035-150P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN035-150P,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的FET/MOSFET类别。该器件具有150V的漏源电压（VDS）和较低的导通电阻（典型值约85mΩ），适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源开关电路：常用于DC-DC转换器、负载开关和电源切换系统中，因其低导通电阻可减少功耗，提高能效。 2. 电池供电设备：广泛应用于便携式电子设备（如笔记本电脑、移动电源、工业手持设备）中的电池管理系统，实现反向电流阻断和充放电控制。 3. 电机驱动与继电器替代：在中小功率电机控制或固态继电器中作为开关元件，具备快速响应和长寿命优势。 4. 工业与汽车电子：适用于车载电源系统、LED驱动模块及工业控制板，能在较宽温度范围（-55°C至+150°C）稳定工作，满足严苛环境要求。 5. 高边/低边开关：尤其适合高边开关配置，用于控制正电压负载的通断。 该MOSFET采用LFPAK（Power SO8）封装，散热性能好，支持表面贴装，便于自动化生产，同时具备良好的抗热循环能力。其雪崩能量耐受能力和高可靠性使其在汽车和工业领域备受青睐。总体而言，PSMN035-150P,127是一款高性能P沟道MOSFET，适用于对效率、空间和可靠性有较高要求的中高压电源应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 50A SOT78MOSFET RAIL PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN035-150P,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN035-150P,127 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 138 ns |
| 下降时间 | 93 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5778 |
| 典型关闭延迟时间 | 79 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PSMN035-150P |
