ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQP17N40
Datasheet下载- 型号： FQP17N40
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP17N40由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP17N40价格参考。Fairchild SemiconductorFQP17N40封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 400V 16A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3。您可以下载FQP17N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP17N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP17N40是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体来说是一款N沟道增强型功率MOSFET。这款器件在多种应用场景中表现出色，尤其适用于需要高效开关和低导通电阻的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：FQP17N40广泛应用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等。其高耐压（400V）和低导通电阻特性使其能够在高压环境下保持高效运行，减少能量损耗。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机，特别是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高系统的响应速度和能效。 3. 逆变器与变频器：FQP17N40适合用于逆变器和变频器中的功率级电路，能够有效控制交流电的输出频率和电压，适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等应用。 4. 负载切换与保护：在汽车电子、通信设备和其他需要频繁切换负载的应用中，FQP17N40可以作为负载开关，提供过流保护、短路保护等功能，确保系统安全稳定运行。 5. LED照明：对于大功率LED照明系统，FQP17N40可用作驱动电路的一部分，实现对LED电流的精确控制，同时保证较高的效率和可靠性。 6. 家电与消费电子产品：在洗衣机、空调、冰箱等家电产品以及笔记本电脑适配器等消费电子产品中，FQP17N40凭借其紧凑封装和良好性能，成为优选的功率开关元件。 总之，FQP17N40以其出色的电气参数和可靠性，在众多电力电子领域有着广泛的应用前景，是设计工程师在选择MOSFET时的理想选项之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 16A TO-220MOSFET 400V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP17N40QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP17N40 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 185 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 系列 | FQP17N40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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