Datasheet下载- 型号： 2SJ661-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ661-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ661-1E价格参考。ON Semiconductor2SJ661-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SJ661-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ661-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的2SJ661-1E是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于开关和功率控制应用。该器件具有较高的耐压和良好的导通电阻特性，适用于中低功率电源管理系统。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：常用于DC-DC转换器、电源管理模块中，作为负载开关或反向电流保护元件，控制电源通断。 2. 电池供电设备：广泛应用于便携式电子产品，如笔记本电脑、移动电源、智能家居设备等，实现高效节能的电源控制。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为H桥的一部分，控制电机转向与制动。 4. 逆变器与转换器：用于小功率逆变器或AC-DC转换器中，配合其他MOSFET实现电压极性切换。 5. 工业控制与家电：适用于工业自动化模块、继电器驱动、照明控制及家用电器中的功率调节部分。 2SJ661-1E采用高可靠性封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适合对空间紧凑和效率要求较高的设计。其P沟道特性简化了栅极驱动电路设计，尤其适用于低边或高边开关应用。总体而言，该型号在消费电子、工业控制和电源管理领域具有广泛适用性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SJ661-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4360pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 功率-最大值 | 1.65W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Ta） |
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