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  • 型号: FDG315N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG315N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG315N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG315N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDG315N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG315N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6MOSFET SC70-6 N-CH 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG315NPowerTrench®

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产品型号

FDG315N

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.75 W

Pd-功率耗散

750 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

220pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

120 毫欧 @ 2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FDG315NCT

典型关闭延迟时间

7 ns

功率-最大值

480mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

28 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

5 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

系列

FDG315N

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

零件号别名

FDG315N_NL

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